AU40N120T3A2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），支持高電壓與大電流工作環境。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有效降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，增強了反向恢復性能與穩定性。適用于智能電網、新能源轉換設備及高效電源管理系統等場景，滿足多種高可靠性應用需求。
