IRGP4063DPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流IC:50A 參數(shù)2:電壓VCE:650V 參數(shù)3:VCE(Sat):1.65V 參數(shù)4:二極管正向電流:1.45A 標(biāo)價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該IGBT管/模塊具備集電極電流(Ic)50A與集射極擊穿電壓(Vces)650V的電氣特性,適用于中高功率的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.65V,在導(dǎo)通狀態(tài)下可有效控制能量損耗。內(nèi)置二極管支持正向電流(IF)50A,正向壓降(Vf)低至1.45V,具備良好的續(xù)流性能和熱穩(wěn)定性。該器件適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及其他對效率與可靠性有較高要求的電路場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
