FGH75T65SHD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:75A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備75A的集電極電流（Ic）和650V的集射極擊穿電壓（Vces），可滿足中高功率應用場景的需求。器件的集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于提升導通效率并減少能量損耗。內置二極管支持75A正向電流（IF），其正向壓降（Vf）為1.85V，具有良好的熱穩定性和可靠性。該產品適用于智能電網、家用電器以及高效電源轉換系統，為復雜電路提供精準的開關控制與能量傳輸支持。
