YGW40N120F2_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:IGBT管/模塊 最小包裝:30/管裝 參數1:電流IC:40A 參數2:電壓VCE:1200V 參數3:VCE(Sat):1.7V 參數4:二極管正向電流:1.85A 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為IGBT管/模塊,具備40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces),適用于高電壓和較高功率場合。集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.7V,有助于降低導通損耗。內置二極管的正向電流(IF)為40A,正向壓降(Vf)為1.85V,性能穩定。該器件可廣泛用于能源、家電以及精密電力控制領域,提供高效可靠的開關與能量轉換能力。
