CRG40T120BK3SD_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高電壓與中等功率的應用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有助于在導通狀態下保持較低的損耗水平。內置二極管支持40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升了系統在高頻切換與能量回饋過程中的穩定性與效率。該器件可應用于高效電源轉換、儲能控制及精密電力調節設備中，滿足對可靠性與性能的雙重需求。
