FGH50T65SQD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中功率電力電子應用。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低導通損耗，提升系統效率。內置續流二極管可承受50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的熱穩定性和高頻響應能力。該模塊適合用于高效電源轉換、智能電網設備、新能源變換裝置及精密電機控制等領域，滿足對性能與可靠性有較高要求的設計需求。
