CRG40T120AK3S_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT模塊具有40A集電極電流(Ic)和1200V集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。導(dǎo)通時集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V，有效減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率。內(nèi)置續(xù)流二極管可承受40A正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的高頻響應(yīng)與穩(wěn)定性。該器件適合應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)設(shè)備、可再生能源系統(tǒng)及精密電機(jī)控制等場景，滿足對性能與可靠性有較高要求的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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