LESD8LS5.0T5G_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流Ipp:4A 參數2：電壓VRWM:5V 參數3：CJ:0.4pF 參數4：類型:Uni單向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該靜電和浪涌保護器件采用Uni單向設計，具備4A的峰值脈沖電流（IPP）能力，可快速響應并抑制瞬態電壓干擾。其反向工作電壓（VRWM）為5V，適用于各類低電壓信號線路的防護需求。器件寄生電容（CJ）低至0.4pF，顯著降低對高頻信號的干擾，提升傳輸完整性。單通道（LINE:1通道）結構設計緊湊，便于在空間受限的電路布局中實現高效保護，廣泛應用于消費類電子、通信模塊及便攜式設備中。
