VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：電流Ipp:4A 參數2：電壓VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.3pF 參數4：類型:Bi雙向 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款靜電和浪涌保護器件屬于TVS/ESD類別，采用Bi雙向設計，提供單通道保護。它擁有4A的IPP峰值脈沖電流承受能力，適用于應對突發的電壓浪涌。其工作電壓（VRWM）為3.3V，確保在常規操作電壓下保持斷開狀態，同時能在異常電壓出現時迅速響應。該器件的電容值（CJ）僅為0.3pF，對信號的影響幾乎可以忽略不計，非常適合高速數據傳輸或精密電子裝置中的應用。它能夠有效地保護電路免受靜電放電和其他瞬態過電壓事件的影響，保障設備的穩定運行與數據傳輸的安全性。
