HESDBM3V3A1_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：電流Ipp:9A 參數(shù)2：電壓VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:15pF 參數(shù)4：類型:Bi雙向 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該靜電和浪涌保護(hù)器件為TVS/ESD類型，具有9A的峰值脈沖電流（IPP）處理能力和3.3V的最大工作電壓（VRWM），適用于需要雙向保護(hù)的應(yīng)用場景。其電容值（CJ）為15pF，表明它對信號完整性影響較小，適合高速數(shù)據(jù)傳輸線路的保護(hù)。此元件設(shè)計用于單線（LINE:1）配置，能夠為敏感電子設(shè)備提供有效的瞬態(tài)電壓抑制，防止因過電壓或靜電放電造成的損壞。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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