S1M075120H1_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具有優(yōu)異的高頻開關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻特性。其漏極電流ID可達(dá)32A，漏源電壓VDSS為1200V，導(dǎo)通電阻RDON低至75mΩ，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景。碳化硅材料的使用使其具備更高的熱穩(wěn)定性和更小的能量損耗，適合用于電源適配器、光伏逆變器及高密度電源系統(tǒng)等對(duì)性能與能效有較高要求的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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