MJD127_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：IC:8A 參數(shù)2：VCEO:100V 參數(shù)3：TYPE:PNP 參數(shù)4：HFE:1K-12K 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)NP型三極管額定集電極電流（IC）為8A，集射極擊穿電壓（VCEO）達(dá)100V，具備較強(qiáng)的電流承載能力。直流電流增益（HFE）范圍為1000至12000，屬于高增益類型，可在微弱基極電流下實(shí)現(xiàn)高效電流控制，適用于精密開(kāi)關(guān)與信號(hào)放大電路。器件采用大電流設(shè)計(jì)，熱穩(wěn)定性較好，適合在電源調(diào)節(jié)模塊、繼電器驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制及高增益放大電路中使用。其高HFE特性有助于簡(jiǎn)化前級(jí)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)響應(yīng)精度，滿足多種中功率模擬與數(shù)字應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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