HXY70P03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管（MOSFET），具有30V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中等電壓電源開關場景。其連續漏極電流（ID）可達70A，導通電阻（RDON）低至6.5mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。低RDON特性使其在大電流應用中發熱量更少，工作更穩定。該器件適用于高效率DC-DC轉換、負載開關電路以及電池供電設備中的電源管理模塊，適合對導通損耗敏感的功率控制設計。
