HXY20P02S_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備20A的連續(xù)漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中等功率開(kāi)關(guān)與電源管理應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至12mΩ（RDON），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件柵源電壓（VGS）為12V，確保在標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)。低RDON與較高的電流承載能力使其適合用于同步整流、電池供電設(shè)備中的電源切換以及負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，滿足對(duì)空間緊湊和效率要求較高的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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