HXYG40N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V的漏源額定電壓（VDSS），可承受40A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至20mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統效率。其低RDON特性使其在大電流開關應用中表現出色，適用于需要高效能電源管理的設備。器件基于MOSFET技術，具備良好的熱穩定性和快速開關響應能力，廣泛用于各類直流-直流轉換、電機驅動及高密度電源模塊等場景，是現代電子系統中實現高效能量控制的關鍵元件。
