HXY2306I_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:4A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:29mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）、4A連續漏極電流（ID）及29mΩ低導通電阻，柵源電壓最大為20V，適用于中低壓功率開關應用。器件在低電壓下具備良好的導通特性與開關速度，可有效減少傳導損耗。其結構設計有助于實現快速開關響應，適用于便攜式設備電源管理、直流電機驅動、開關電源模塊及電池供電系統中的同步整流等場景。具備穩定的熱性能與柵極可靠性，適合對能效和空間利用率有要求的電路設計。
