HXY10P10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:180mR 參數4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有100V的漏源耐壓（VDSS）和10A的連續漏極電流（ID），導通電阻為180mΩ（RDS(ON)），在同類P溝道器件中具備較好的導通性能與電壓裕度。柵源電壓范圍為±25V，適用于多種柵極驅動電路，提供可靠的開關控制。P溝道結構使其在高邊開關應用中無需額外的電荷泵電路，簡化設計。常用于直流電源切換、電池供電設備的電源管理、負載開關及反向電流保護等場景，適合對電路簡潔性和系統效率有一定要求的電子設備。
