HXY4866DF_DFN3X3B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:33A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該NN溝道場效應(yīng)管采用雙MOSFET設(shè)計，單管漏極連續(xù)電流ID達33A，漏源電壓VDSS為40V，柵源電壓范圍±20V，導(dǎo)通電阻低至14mΩ。低RDON值有效減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。雙N溝道結(jié)構(gòu)適用于大電流開關(guān)應(yīng)用，提供優(yōu)異的開關(guān)速度與功率控制能力，適合多相電源管理、高密度DC-DC轉(zhuǎn)換及高性能負(fù)載開關(guān)等場景，滿足對小型化與高效率有要求的電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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