HXY20N03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:15mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，連續漏極電流（ID）可達20A，導通電阻（RDSON）低至15mΩ。低RDSON有助于降低導通損耗，提升功率轉換效率，適用于較高電流負載的開關控制。器件可應用于同步整流、DC-DC電壓變換、電池管理系統及大電流電源開關模塊。其高電流承載能力與良好的熱穩定性，適合集成于緊湊型電源設計和高能效電子設備中，在頻繁開關操作下仍能保持性能可靠。
