HXY30N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:18mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有30A的漏極電流（ID）和40V的漏源電壓（VDSS），適用于中高功率開關應用。在20V柵源電壓（VGS）驅動下，導通電阻低至18mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件具備良好的熱穩定性和開關特性，適合用于直流電源轉換、電池供電系統中的功率調節以及負載控制電路。其性能表現可滿足多類高密度電源設計對響應速度與能效的要求，適用于對空間和功耗敏感的嵌入式電源模塊及便攜式電子設備中的功率管理方案。
