HXY4N150MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:4A 參數2：VDSS:150V 參數3：RDON:18mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有150V漏源耐壓，連續漏極電流為4A，導通電阻低至18mΩ，適用于在20V柵源電壓下工作的功率開關電路。高耐壓與低導通損耗特性使其適合用于直流電機驅動、開關電源及逆變器中的功率轉換級。器件具備快速開關響應能力，可有效提升系統能效，適用于對功率密度和熱性能有要求的電路設計。典型應用包括電池供電設備的主控開關、LED驅動電路及中等功率電源模塊中的同步整流單元。
