HXY8810ES_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），連續漏極電流達7A，導通電阻低至14mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。N溝道結構在柵極電壓驅動下實現高效導通，適用于高密度電源轉換電路、同步整流模塊及便攜式電子設備的功率管理單元。其低閾值電壓特性兼容多種邏輯信號控制，適合用于DC-DC變換器、電池充放電管理及高性能開關電源中的主開關元件，滿足對效率與空間利用率要求較高的電路設計需求。
