HXY7002EI_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:0.1A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保在瞬態電壓波動下具備一定的耐受能力。其1300mΩ的導通電阻（RDON）在低電流負載下可有效減少導通損耗，配合0.1A的連續漏極電流（ID）規格，適用于小功率開關應用。柵源電壓范圍為±20V，提供穩定的柵極驅動控制。常用于電池供電設備、小型電源模塊、LED驅動電路及各類電子信號通斷控制場合，實現高效、低功耗的開關功能。
