HXY3134AF3_DFN1006-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：ID:0.7A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:220mR 參數(shù)4：VGS:10V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有20V的漏源電壓（VDSS）和10V的柵源電壓（VGS），在VGS=10V時(shí)導(dǎo)通電阻為220mΩ，最大連續(xù)漏極電流（ID）為0.7A。低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升能效。適用于中低功率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器及負(fù)載開關(guān)電路，適合便攜式設(shè)備與小型化電子產(chǎn)品中的電源管理應(yīng)用。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，可用于高頻開關(guān)場景，滿足對空間和效率有較高要求的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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