HXY3N10MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:2.2A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:230mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐壓能力，適用于中高壓開關應用。在20V柵壓驅動下，可承載2.2A連續漏極電流，導通電阻為230mΩ，具備良好的導通特性。器件開關響應迅速，柵極電荷較低，有利于提升高頻工作下的轉換效率。其結構設計兼顧了電壓耐受與導通損耗的平衡，適合用于開關電源、DC-DC變換器、LED驅動電路、電池供電設備的電源管理模塊以及小型電子設備中的負載開關等應用場景，滿足對穩定性和能效的基本要求。
