HESDNC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:7A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:10pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該器件為單通道雙向TVS二極管，專為低電壓信號線路的瞬態防護設計。反向工作電壓為3.3V，峰值脈沖電流可達7A，具備優異的浪涌吸收能力。結電容典型值低至10pF，適用于高速數據接口，可有效抑制信號失真。雙向結構可同時應對正負向瞬態過壓事件，響應速度快，鉗位電壓低，提供可靠的過壓保護。適用于便攜式設備、消費類電子產品中的USB、HDMI等高速數據端口及低電壓電源線路的靜電和浪涌防護。
