HXY30G30NF_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管為NP溝道集成型器件，支持30A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于中高功率電源切換與控制電路。其導通電阻低至9.5mΩ（RDON），可顯著降低導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為±20V（VGS），具備良好的驅動適應性與可靠性。N與P溝道的組合設計支持互補工作模式，常用于同步整流、雙向電源開關、電池供電系統的電源管理、DC-DC變換器及高效率電壓調節模塊，適合對電流承載能力與空間布局有較高要求的便攜式設備與高性能電子裝置。
