HXY20P02DF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管具有20V漏源耐壓（VDSS）和12V柵源電壓范圍（VGS），可承載20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至15mΩ。器件適用于低電壓電源管理應(yīng)用，如便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)、電池供電系統(tǒng)的反向連接保護(hù)電路以及直流電源分配網(wǎng)絡(luò)中的高邊開關(guān)設(shè)計。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升能效，同時P溝道結(jié)構(gòu)簡化了驅(qū)動電路設(shè)計，在需要簡潔可靠開關(guān)控制的低壓直流系統(tǒng)中具備良好的實用性與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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