HESDUC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.25pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該器件為單通道雙向TVS二極管，反向工作電壓（VRWM）為3.3V，適用于低電壓信號線路的瞬態防護。具備4A的峰值脈沖電流（IPP）和極低的結電容（Cj=0.25pF），在抑制靜電放電和浪涌干擾的同時，對高速信號完整性影響極小。雙向擊穿特性可有效鉗制正負極性瞬變電壓，常用于保護敏感模擬或數字接口，如通信模塊、便攜設備的數據端口及高頻信號線，防止因瞬態過壓導致的功能異?；蚱骷p傷。
