HXYY10N65NF_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:10A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該氮化鎵晶體管為N溝道增強型高電子遷移率晶體管（HEMT），具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可持續通過10A漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ。得益于氮化鎵材料的高開關速度與低導通損耗特性，該器件適用于高效率、高頻率的電源轉換系統。典型應用場景包括高性能AC-DC與DC-DC功率變換器、服務器電源模塊、可再生能源發電中的逆變裝置，以及對功率密度和熱性能要求嚴苛的緊湊型電源設計，有助于提升系統整體能效并減小體積。
