HXY5N10MIS_SOT-223_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:101mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）耐壓能力，適用于中高壓開關應用。其連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻為101mΩ，在同類器件中具備較好的導通性能。N溝道結構在柵極施加正向電壓時導通，適用于低邊開關設計。該器件可用于直流電源轉換、電機驅動、電池供電設備的控制電路以及各類中等功率開關電源中，滿足對開關速度和導通損耗有一定要求的電路設計，適合在緊湊型電子設備中實現高效的電能控制。
