HXYS72N170MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:72A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1700V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受高電壓應力，適用于高壓功率轉換場合。其導通電阻（RDON）低至45mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。在25℃環境溫度下，連續漏極電流（ID）可達72A，支持較大功率負載。柵源電壓范圍為±20V，具備良好的驅動兼容性。得益于碳化硅材料特性，該器件適用于高頻、高溫及高效率要求的電源系統，如可再生能源逆變裝置、高壓直流變換與高性能電力傳輸設備中的開關單元。
