HXY25N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有40V的漏源電壓（VDSS）和25A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為18mΩ。較低的RDON有助于減少導通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。該器件適用于中等電壓功率開關應用，可用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換模塊、電機驅(qū)動電路以及電池供電系統(tǒng)的電源管理單元。其性能特點適合對效率和熱穩(wěn)定性有一定要求的電路設計，常用于便攜式設備、消費類電子產(chǎn)品及通用電源控制場合，作為高效的開關元件使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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