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HXYS68N120T6_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:68A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備1200V的漏源擊穿電壓，連續(xù)漏極電流達(dá)68A，導(dǎo)通電阻為40mΩ，適用于高電壓、大電流的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。基于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度與高溫穩(wěn)定性，可顯著提升系統(tǒng)能效并減少散熱需求。典型應(yīng)用包括高壓直流變換器、大功率逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的電力調(diào)節(jié)模塊以及對(duì)空間和效率有較高要求的電源解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXYS68N120T6_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:68A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:68A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)