HXY11N40P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:400V 參數3：RDON:360mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備400V漏源耐壓（VDSS）和30V柵源電壓范圍（VGS），持續漏極電流可達11A，導通電阻低至360mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。器件在高頻率開關條件下表現出良好的穩定性，適用于中高功率電源管理系統。常見于開關電源、逆變電路、LED驅動電源及電池供電設備的功率轉換模塊，作為核心開關元件實現高效的電能變換與控制，滿足對熱性能和電氣可靠性要求較高的設計需求。
