HXYS97N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:97A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:30mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源擊穿電壓，額定漏極電流為97A，導通電阻為30毫歐。基于碳化硅半導體材料，器件具備優良的開關特性與熱導性能，支持高頻工作，同時降低開關與導通損耗。其結構設計有助于減少寄生參數，提升功率效率。適用于中高功率電源系統，如大功率開關電源、高壓直流轉換模塊、儲能系統中的逆變與整流電路，以及對能效和功率密度要求較高的電力電子裝置，有助于優化系統整體性能。
