HXYS18N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管額定漏源電壓（VDSS）為1200V，連續漏極電流達18A，導通電阻（RDS(on)）為160mΩ，在20V柵源電壓下可充分導通。基于碳化硅半導體材料，具備優異的高溫工作能力與高壓阻斷特性，支持高頻開關操作。適用于高效率功率因數校正電路、高壓直流變換模塊、可再生能源發電逆變裝置及大功率開關電源，能有效降低導通與開關損耗，提升系統整體能效，尤其適合對熱管理與電氣穩定性要求較高的緊湊型電力電子設備。
