HXYG70N10D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.2mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有100V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中高功率開關(guān)場景。其連續(xù)漏極電流可達(dá)70A，導(dǎo)通電阻低至8.2mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應(yīng)用中具備良好的熱穩(wěn)定性。該器件適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、直流電機驅(qū)動、同步整流以及負(fù)載開關(guān)等電路，滿足對功率密度和能效有較高要求的設(shè)計需求，是理想的中壓功率開關(guān)解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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