HXYT50N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):50A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊額定集電極電流為50A，集射極擊穿電壓為650V，適用于中高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其集射極飽和電壓為1.6V，在高負載條件下具備較低的導(dǎo)通損耗，有利于提高系統(tǒng)整體效率。模塊集成反并聯(lián)二極管，可承受50A正向電流，二極管正向壓降為1.85V，支持高效續(xù)流操作。器件具有良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適用于大功率開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)、可再生能源逆變裝置及大電流驅(qū)動電路，能夠滿足高頻開關(guān)與高功率密度設(shè)計需求，適用于對效率與可靠性要求較高的電力電子拓撲結(jié)構(gòu)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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