HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源擊穿電壓，連續漏極電流可達49A，導通電阻低至33mΩ，適用于高效率功率轉換設計?；谔蓟璨牧咸匦?，器件具備優異的開關性能與高溫工作能力，可有效降低系統能量損耗。廣泛用于高密度電源、可再生能源逆變裝置及高性能電力變換設備中，適合對熱管理與電氣性能有嚴苛要求的應用場景。
