HXYS125N120Q_SOT-227_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：12/管裝 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:15mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓，可持續通過125A的漏極電流，導通電阻低至15毫歐。得益于碳化硅材料優異的物理特性，器件具有出色的耐壓能力與導通性能，開關速度快，能夠實現高頻、高效的能量轉換。適用于高功率密度電源轉換系統，在高壓直流變換、逆變輸出及功率因數校正等電路中表現出較低的損耗與較高的熱穩定性，可提升整體系統能效與可靠性。
