HXYS40N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:40A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道增強型器件，具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），可持續(xù)通過40A漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為60mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有高耐壓、低導通損耗和優(yōu)異的高溫工作能力，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景。典型應用包括大功率開關電源、高壓DC-DC變換器、可再生能源發(fā)電中的逆變裝置、儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換單元，以及對系統(tǒng)熱性能和空間布局要求較高的緊湊型高功率密度設計，有助于提升整體能效并降低散熱負擔。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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