HXYY10N65JF_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）采用N溝道結(jié)構(gòu)，具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）為160mΩ。基于氮化鎵材料特性，器件具有更高的開關(guān)頻率與更低的導(dǎo)通損耗，適用于高功率密度電源設(shè)計(jì)。其快速開關(guān)響應(yīng)和優(yōu)異的熱性能，使其廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源、高密度適配器、無線充電發(fā)射端電路以及服務(wù)器級電源模塊等對效率與體積要求嚴(yán)苛的先進(jìn)電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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