HXYS68N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:68A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道增強型器件，具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和68A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至40mΩ。采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性、高擊穿場強和低開關損耗特性，適用于高電壓、高功率密度的電力電子系統。典型應用涵蓋大功率DC-DC變換器、不間斷電源（UPS）、儲能系統中的功率轉換模塊、光伏逆變器以及對能效和散熱要求較高的高頻電源設計，有助于提升系統效率并減少外圍元件體積。
