HXY3020GD_TO-252-4L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-4L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:18mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該場效應管采用NP溝道設計，具備20A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于中等功率電源管理場景。其導通電阻低至18mΩ（RDON），有助于減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓最大支持±20V（VGS），具備較好的驅動兼容性。N溝道與P溝道集成設計便于實現雙向控制與互補開關功能，適用于直流-直流轉換、負載開關、電源冗余及便攜式設備中的電源管理電路，滿足對空間與效率有要求的應用需求。
