HESDUC3V3B1GF-B_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.55pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該ESD保護二極管為單通道雙向結構，反向工作電壓（VRWM）為3.3V，適用于低電壓信號線路的瞬態電壓防護。其結電容為0.55pF，能夠在多數高速信號接口中保持良好的信號完整性。器件可承受4A的峰值脈沖電流（IPP），具備較強的瞬態能量吸收能力，能有效抑制靜電放電和浪涌事件。雙向（Bi）設計使其可對正負極性過壓提供對稱鉗位保護，常用于消費類電子設備中的數據線、觸摸屏信號線及音頻接口等敏感電路的過壓防護。
