HXY10G10S_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:70mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該場效應(yīng)管為N溝道與P溝道集成的功率MOSFET，N溝道部分具有100V漏源電壓（VDSS）、10A連續(xù)漏極電流（ID）及70mΩ導(dǎo)通電阻（RDON），柵源電壓范圍支持±20V。器件具備較高的電壓耐受能力，適用于中等功率的開關(guān)電源和直流功率控制電路。雙溝道結(jié)構(gòu)可用于半橋或互補(bǔ)輸出拓?fù)?，?shí)現(xiàn)高效的電壓切換與功率調(diào)節(jié)。典型應(yīng)用包括便攜式設(shè)備的電池管理系統(tǒng)、小型化電源適配器、無線充電發(fā)射模塊的驅(qū)動(dòng)電路以及需要雙向控制的負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)，滿足對集成度和可靠性要求較高的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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