HXYT40N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：集電極電流(Ic):40A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):40A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該IGBT具備650V集射極擊穿電壓（Vces），可承受較高電壓應(yīng)力，適用于中高功率開關(guān)應(yīng)用。在導(dǎo)通狀態(tài)下，集電極電流（Ic）可達(dá)40A，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗。內(nèi)置反并聯(lián)二極管，正向電流（If）同樣為40A，正向壓降（Vf）1.8V，支持高效續(xù)流功能。器件適用于高頻逆變、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等電力電子電路，作為核心開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)電能的精確控制與高效轉(zhuǎn)換，滿足對功率密度與系統(tǒng)效率有要求的設(shè)備設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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