HXYG50N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:14.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V漏源電壓（VDSS）和50A連續漏極電流（ID），在20V柵源電壓下導通電阻低至14.5mΩ，具備優異的載流能力與低導通損耗特性。采用先進溝槽技術，優化了開關速度與熱性能，適用于高效率直流-直流轉換器、同步整流模塊及大電流電源管理系統。器件可有效降低功率損耗，提升系統能效，廣泛用于通信設備電源、高密度便攜式充電裝置及高性能計算平臺的電壓調節單元，滿足對小型化與高可靠性要求較高的應用場景。
