STW28N65M2-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為25A，漏源電壓耐壓達800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關能力，導通與開關損耗較低。適用于高效率電源轉換場合，如通信電源、光伏逆變系統、不間斷電源及高頻DC-DC變換器等應用，可在緊湊布局中實現更高的功率密度與系統效率。
